用途

超纯水
用离子交换树脂

三养社TRILITE® 超纯水用离子交换树脂的均一系数在1.1以下,离子转型率H⁺ 99.9%、
OH⁻ 97.0%以上,专为显示屏(OLED/LCD)及半导体超纯水制造工艺而优化。

主要特点

用于半导体、OLED、LCD等电气电子产业的超纯水的重要性日益增大,
随着相关产业的不断发展,对超纯水的纯度和可靠性要求变得越发严格。

TRILITE®超纯水用离子交换树脂正在向国内外半导体、显示屏(OLED、LCD)等超纯水设备供货,
拥有可靠的Reference,正在凭借稳定的质量管理和按时交货为提高客户公司的竞争力作贡献。
根据需要的超纯水品质,TRILITE®超纯水用离子交换树脂分成URR100、UPR200、UPR300、UPR400系列。

TRILITE®超纯水用离子交换树脂特点

  • 拥有极高水平的均一系数(1.1以下),在较快流速中也能实现较高的工作交换容量。
  • 为了尽可能地减少离子渗漏(Ion leakage),H、OH转换率非常高。
  • 对TOC(Total organic carbon)及微量Metal ion leakage进行严格管理。

超纯水生产工艺

超纯水制造工艺是将原水逐级提纯为工业用水、纯水和超纯水的过程,
(Pre-treatment) → 纯水制造工艺(Make-up system) → 超纯水制造工艺(Polishing system)组成。

  • 第1阶段 预处理工艺

    - 取原水后,通过多介质过滤器(MMF, Multi-media filter)和活性炭过滤器去除悬浮物(SS)和余氯。
  • 第2阶段 纯水制造工艺

    - 全面去除水中溶解的离子、有机物(TOC)、细菌、溶解氧和二氧化碳。
  • 第3阶段 超纯水制造工艺

    - 对最后残留的微量离子、微粒和有机物进行精处理。根据所需等级分为显示屏(OLED)级和半导体级,半导体级还需增加H2O2去除和硼去除工艺。

产品选择指南

产品
产品名称 Outlet condition 特点及用途
UPRM100U Guarantee) Resistivity > 17.0㏁∙cm
Actual) Resistivity > 18.0㏁∙cm
一般电气电子纯水制造、
Final polisher
UPRM200U Resistivity > 18.1㏁∙cm(in 30 min)
△TOC < 5 ppb (in 120min)
显示屏纯水制造、
Final polisher
UPRM300U Resistivity > 18.2㏁∙cm(in 30 min)
△TOC < 1 ppb (in 180min)
半导体Grade
Final polisher
UPRM400U Resistivity > 18.2㏁∙cm(in 30 min)
△TOC < 1 ppb (in 180min)
Metal impurity (ppm, as Dry Base)
Na<1, Fe<1, Zn<0.5, Al<0.5
半导体GradeFinal polisher
UPHR1 Resistivity > 18.2㏁∙cm(in 24hr)
△TOC < 1 ppb (in 24hr)
半导体过氧化氢去除
CLR-B3UP Resistivity > 17.0㏁∙cm(in 48hr)
△TOC < 5 ppb (in 48hr)
超纯水用硼元(Boron)去除

产品

产品
产品名称 产品分类 信息 TDS

技术资料

技术资料
技术资料 下载

FAQ

  • Q. 超纯水在半导体制造工艺中起什么作用?为什么重要?

    超纯水是滤除无机物、有机物、微粒、微生物和溶解气体后,提纯至接近纯水分子状态的高纯度工业用水。半导体每重复一道工序都需要清洗晶圆,而纳米级的超精细工艺对微小的灰尘也十分敏感,因此必须通过超纯水确保洁净度。超纯水的水质直接影响缺陷的最小化和良率的提升。

    • 确保洁净度 : 纳米级超精细工艺对微小灰尘也十分敏感
    • 降低不良率 : 最大限度减少缺陷、提高良率

  • Q. 三养社TRILITE® 超纯水用离子交换树脂UPRM100U、200U、300U、400U有什么区别?

  • Q. 为什么半导体制造工艺中需要单独去除硼(Boron)?

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发布日期 2023.03.28